全球存储芯片短缺创15年之最！
根据TrendForce集邦咨询4月1日发布的报告，今年第二季度一般型DRAM合约价预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价环比上涨70%至75%。这一涨幅与市场广泛引用的“存储涨价58%”高度吻合。
在该消息刺激下，5月11日早盘，A股存储芯片板块拉升，截至发稿，兴福电子（688545.SH）、同有科技（300302.SZ）、普冉股份（688766.SH）20CM涨停，澜起科技（688006.SH）涨超18%，红板科技（603459.SH）、长电科技（600584.SH）、沃格光电（603773.SH）等个股10CM涨停。
供需失衡致价格上涨
熟悉半导体行业的人或许都知道，存储芯片是半导体市场规模最大、周期性最灵敏的细分赛道，堪称行业“周期晴雨表”。过往存储行情，大多跟随手机、PC等消费电子市场冷暖波动，涨跌节奏平缓、周期规律清晰。但2026年的存储行情，彻底打破了传统周期逻辑，走出了罕见的超速涨价行情。
涨价的核心根源，是全球产能结构性错位。目前，三星、SK海力士、美光三大巨头垄断了全球绝大部分存储产能，而近两年，三家企业纷纷调整战略重心，全力抢抓AI产业红利。为了生产高附加值的HBM、DDR5等高端AI专用存储芯片，巨头们将大量晶圆产能、生产设备、洁净室资源全面倾斜，直接大幅压缩了传统DRAM、NAND通用型存储芯片的产能投放。
相关数据显示，2026年全球DRAM供需缺口达4.9%，NAND闪存供需缺口为4.2%。即便当前手机、电脑等传统消费电子需求整体平淡，也丝毫无法缓解通用存储芯片的缺货现状。
如果说供给收缩是行情基础，AI算力基建爆发式需求则是点燃本轮超级周期的燃料。如今存储芯片的需求逻辑已经彻底迭代，全面转向AI算力基础设施。
随着各大科技企业大模型迭代、AI服务器大规模部署、超算中心持续落地，算力产业对高速、大容量存储芯片的需求呈指数级增长。数据显示，2026年全球服务器端DRAM需求增速将高达39%，2027年仍能维持22%的高增长，仅服务器端的DRAM需求占比就将突破50%。同时，企业级SSD需求持续爆发，持续拉动NAND闪存需求走高。
更为稀缺的是，英伟达、OpenAI等头部科技企业为保障AI数据中心建设落地，早已提前锁定海量存储产能，直接抢占了行业大部分优质产能，进一步挤压了市场流通的通用型存储芯片份额，让现货紧缺、涨价的局面持续加剧。
存储全链条或将受益
对比历史行情不难发现，往年存储芯片季度价格波动大多维持在个位数，而今年二季度DRAM最高涨幅超60%、NAND闪存涨幅逼近75%的行情，在近十年行业中都极为罕见。这一轮涨价绝非短期超跌反弹，而是行业周期彻底反转的明确信号。
回顾行业过往周期，存储芯片始终遵循“降价去库存—供需平衡—缺货涨价—产能扩张—产能过剩”的循环规律。经过前几年的持续降价洗牌，行业中下游库存已经充分出清，叠加当前产能收缩、需求爆发的双重利好，行业正式进入“涨价、去库存、高景气”的正向循环。
业内人士认为，行情持续升温之下，A股整条存储产业链将迎来全面修复，利好传导路径清晰且明确。
其中，上游半导体设备、材料企业，将受益于晶圆厂产能利用率提升、订单集中释放，业绩稳步回暖。例如，作为国内唯一覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等全环节的平台型半导体设备龙头，北方华创是存储晶圆厂扩产的核心受益者。公司半导体设备业务深度绑定国内两大存储巨头——长江存储（3D NAND）、长鑫存储（DRAM），同时进入中芯国际、SK 海力士等国内外头部产线，在存储设备领域市占率稳居本土第一。其半导体设备覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理、离子注入、涂胶显影六大前道核心工序，全面适配12英寸晶圆、28nm至14nm及先进制程需求，是国内存储产线建设的“主力军”。
中游存储芯片设计、封测企业，将直接享受产品涨价红利，毛利率快速修复，业绩弹性最大。例如，兆易创新是国内唯一同时覆盖NOR Flash、SLC NAND、利基型DRAM三大存储品类的设计龙头，存储业务为公司核心收入与利润来源。数据显示，2025年公司存储芯片营收约65.66 亿元，占比超70%，毛利率达42.84%。在本轮存储涨价周期中，公司将直接受益于产品提价+库存重估+出货量抬升，业绩弹性显著。
下游存储模组、终端配套企业，虽面临一定成本压力，但在行业高景气、需求扩容的背景下，有望实现量价齐升，稳步提升营收规模。例如，江波龙是国内存储模组绝对龙头、全球第二大独立存储厂商，核心业务覆盖嵌入式存储、固态硬盘（SSD）、内存模组（DRAM）、移动存储四大板块。在过去的一年，其市值从300亿飙升到2000亿，直接深度受益于本轮存储涨价周期，2026一季度净利润同比暴增2644.05%至38.62亿元，已超2025年全年净利润，业绩弹性领跑行业。
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